个人简介
2002年6月 本科毕业于山东师范大学
2007年6月 硕博连读,博士毕业于南京大学,导师陈坤基教授
2007年7月至今 伟德国际victor1946
电子邮件:535366073@qq.com
通讯地址:山东省曲阜市静轩西路57号,邮编:273165
办公地址:激光所楼311
教学情况
主要从事物理学、光科专业教学;讲授过本科生课程:偏光物理与偏光技术,现代物理实验方法、电路分析、普物实验等;讲授过研究生课程:薄膜光学,偏光物理与器件,现代光学专业实验等。指导的研究生曾获省优秀硕士学位论文,省优秀毕业生,山东省研究生优秀科技创新成果奖,校圣地英才奖,校优秀学位论文,校优秀毕业研究生等。
研究方向
主要致力于椭圆偏振光谱测量技术,包括功能薄膜材料的制备,基于椭偏光谱的材料表征分析技术等。
科研项目
1.国家自然科学基金青年项目, 亚氧化硅薄膜晶化临界点微结构与发光性质研究, 主持
2.国家自然科学基金面上项目,实际流体和2-9维硬球流体的物态方程理论研究,参与
3.国家自然科学面上项目,GSMBE 1.55微米InAs/InGaAsP量子点激光器材料与器件,参与
4.国家自然科学基金青年项目, PERS定向散射机理及其应用,参与
代表性论著
1.Yun Meng, Peigao Han* , Liangcai Wu*, Dianzhong Hao, Zhitang Song, Bo Liu, Zhongyuan Ma, Ling Xu, Lianke Song,Fast reversible switching Sb2Te–SiNx fifilms with high thermal stability,Materials Letters 163 (2016) 201–204.
2.Yun Meng,Xilin Zhou,Peigao Han*,Zhitang Song,Liangcai Wu*,Chengqiu Zhu,Wenjing Guo Ling Xu,Zhongyuan Ma,Lianke Song,Study on WSb3Te material for phase-change memory applications,Applied Surface Science,2015,(355):667-671.
3. P G Han*, Z Y Ma, Z B Wang and X Zhang,Photoluminescence from intermediate phase silicon structure and nanocrystalline silicon in plasma enhanced chemical vapor deposition grown Si/SiO2 multilayers,Nanotechnology 19 (2008) 325708.
4. P G Han, Z Y Ma*, Z Y Xia, D Y Chen, D Y Wei, B Qian, W Li, J Xu, X F Huang, K J Chen and D Feng,Intermediate phase silicon structure induced enhancement of photoluminescence from thermal annealed a-Si/SiO2 multilayers,Nanotechnology 18 (2007) 255703.
5. Han peigao,Ma Zhong-Yuan*,Xia Zheng-Yue,Chen De-Yuan,Xu Jun,Qian Bo,Chen San,Li Wei,Huang Xin-Fan,Chen Kun-Ji,Feng Duan,nanocrystal silicon induced luminescence enhancement in a-Si/SiO2 multilayers,Chinese Physics,2007,16(5):1410-1416.
6.一种基于介质膜偏振直角分束棱镜的偏振光导航方法,发明专利,2020.1.
7.一种波片快慢轴检测方法,发明专利,2019.2.
8.一种相变存储器选通管及其存储单元,发明专利,2018.3